FZ1200R45KL3B5NOSA1 Prezos (USD) [35unidades de stock]
- 1 pcs$1004.74831
- Número de peza:
- FZ1200R45KL3B5NOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MODULE IGBT A-IHV190-4.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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FZ1200R45KL3B5NOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
FZ1200R45KL3B5NOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MODULE IGBT A-IHV190-4
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Single
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
4500V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
1200A
Potencia: máx :
13500W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.85V @ 15V, 1200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
280nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
-50°C ~ 125°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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