IPL65R660E6AUMA1 Prezos (USD) [2912unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPL65R660E6AUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 4VSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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IPL65R660E6AUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPL65R660E6AUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 4VSON
Serie :
CoolMOS™ E6
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
440pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Thin-Pak (8x8)
Paquete / Estuche :
4-PowerTSFN
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