Vishay Siliconix - SIA445EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6421056

SIA445EDJ-T1-GE3 Prezos (USD) [340585unidades de stock]

  • 1 pcs$0.10860
  • 3,000 pcs$0.10219

Número de peza:
SIA445EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Single, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIA445EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA445EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA445EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA445EDJ-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIA445EDJ-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2130pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Estuche : PowerPAK® SC-70-6

Tamén pode estar interesado