Cree/Wolfspeed - C2M0160120D

KEY Part #: K6410238

C2M0160120D Prezos (USD) [10686unidades de stock]

  • 1 pcs$3.85612

Número de peza:
C2M0160120D
Fabricante:
Cree/Wolfspeed
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C2M0160120D Atributos do produto

Número de peza : C2M0160120D
Fabricante : Cree/Wolfspeed
Descrición : MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Serie : Z-FET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 19A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 32.6nC @ 20V
Vgs (máximo) : +25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 527pF @ 800V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247-3
Paquete / Estuche : TO-247-3

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