Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Se a túa situación non aparece na lista, seleccione unha das seguintes:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Inicio
  2. Produtos
  3. Produtos semicondutores discretos
  4. Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
  5. ALD111933PAL

Advanced Linear Devices Inc. - ALD111933PAL

KEY Part #: K6521895

ALD111933PAL Prezos (USD) [25344unidades de stock]

  • 1 pcs$1.39702
  • 10 pcs$1.26128
  • 100 pcs$0.96155
  • 500 pcs$0.74786
  • 1,000 pcs$0.61965
Número de peza:
ALD111933PAL
Fabricante:
Advanced Linear Devices Inc.
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Advanced Linear Devices Inc. ALD111933PAL electronic components. ALD111933PAL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ALD111933PAL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ALD111933PAL Atributos do produto

Número de peza : ALD111933PAL
Fabricante : Advanced Linear Devices Inc.
Descrición : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Serie : EPAD®
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 10.6V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.35V @ 1µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Potencia: máx : 500mW
Temperatura de operación : 0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete de dispositivos de provedores : 8-PDIP

Últimas novas

Advanced Energy Thyro-A Thyristor Power Controllers
Tamén pode estar interesado
  • J112,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J113,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J177,126

    NXP USA Inc.

    JFET P-CH 30V 400MW TO92-3.

  • J111,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J107

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 625MW TO92.

  • PF5102

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 40V 0.625W TO92.

Pezas quentes