NXP USA Inc. - PHB38N02LT,118

KEY Part #: K6411412

[13799unidades de stock]


    Número de peza:
    PHB38N02LT,118
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
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    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHB38N02LT,118 Atributos do produto

    Número de peza : PHB38N02LT,118
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
    Serie : TrenchMOS™
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 44.7A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 25A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15.1nC @ 5V
    Vgs (máximo) : 12V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 800pF @ 20V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 57.6W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : D2PAK
    Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB