Powerex Inc. - C384M

KEY Part #: K6458734

C384M Prezos (USD) [989unidades de stock]

  • 1 pcs$46.96137
  • 30 pcs$46.22186

Número de peza:
C384M
Fabricante:
Powerex Inc.
Descrición detallada:
THYRISTOR INV 260A 600V TO-200AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Módulos de controlador de enerxía and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Powerex Inc. C384M electronic components. C384M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C384M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C384M Atributos do produto

Número de peza : C384M
Fabricante : Powerex Inc.
Descrición : THYRISTOR INV 260A 600V TO-200AB
Serie : -
Estado da parte : Active
Tensión - Estado fóra : -
Tensión - Disparador de porta (Vgt) (máximo) : -
Actual - Trigger Gate (Igt) (máximo) : -
Tensión: estado en estado (vtm) (máximo) : -
Actual - En estado (É (AV)) (máximo) : -
Actual - En estado (It (RMS)) (máximo) : -
Actual - Manteña (Ih) (máximo) : -
Actual - Estado fóra (máximo) : -
Corrente: Non-Rep. 50 x 60, 60Hz (Itsm) : -
Tipo SCR : Standard Recovery
Temperatura de operación : -
Tipo de montaxe : -
Paquete / Estuche : -
Paquete de dispositivos de provedores : -
Tamén pode estar interesado
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode