TSP10H200S S1G Prezos (USD) [351478unidades de stock]
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- Número de peza:
- TSP10H200S S1G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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TSP10H200S S1G Atributos do produto
Número de peza :
TSP10H200S S1G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
910mV @ 10A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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