IRLD120PBF Prezos (USD) [100560unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRLD120PBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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IRLD120PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLD120PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
490pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Estuche :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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