Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K56MFV,L3F

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Número de peza:
SSM3K56MFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K56MFV,L3F Atributos do produto

Número de peza : SSM3K56MFV,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
Serie : U-MOSVII-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 800mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 55pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 150mW (Ta)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : VESM
Paquete / Estuche : SOT-723

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