Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.15V @ 2A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
1.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C