CSD13306WT Prezos (USD) [259492unidades de stock]
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- Número de peza:
- CSD13306WT
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 12V 6DSBGA.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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CSD13306WT Atributos do produto
Número de peza :
CSD13306WT
Fabricante :
Texas Instruments
Descrición :
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Serie :
NexFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.2nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1370pF @ 6V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.9W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Estuche :
6-UFBGA, DSBGA
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