Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 10A R6
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 10A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 50V
Capacitancia @ Vr, F :
150pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
R6, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
R-6
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C