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- Número de peza:
- EGL41BHE3/97
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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EGL41BHE3/97 Atributos do produto
Número de peza :
EGL41BHE3/97
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Serie :
SUPERECTIFIER®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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