Número de peza :
APTM120H29FG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
374nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
10300pF @ 25V
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SP6