Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB400TH120N

KEY Part #: K6533215

VS-GB400TH120N Prezos (USD) [347unidades de stock]

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Número de peza:
VS-GB400TH120N
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB400TH120N Atributos do produto

Número de peza : VS-GB400TH120N
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Configuración : Half Bridge
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 800A
Potencia: máx : 2604W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 400A (Typ)
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 32.7nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivos de provedores : Double INT-A-PAK

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