Infineon Technologies - FF200R17KE4HOSA1

KEY Part #: K6534457

FF200R17KE4HOSA1 Prezos (USD) [785unidades de stock]

  • 1 pcs$59.14791

Número de peza:
FF200R17KE4HOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE VCES 1200V 200A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R17KE4HOSA1 Atributos do produto

Número de peza : FF200R17KE4HOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : 2 Independent
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1700V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 310A
Potencia: máx : 1250W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 18nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

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