Número de peza :
SCT2450KEC
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
585 mOhm @ 3A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
27nC @ 18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
463pF @ 800V
Disipación de potencia (máx.) :
85W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3