Toshiba Semiconductor and Storage - TPH2900ENH,L1Q

KEY Part #: K6419029

TPH2900ENH,L1Q Prezos (USD) [88126unidades de stock]

  • 1 pcs$0.45546
  • 5,000 pcs$0.45320

Número de peza:
TPH2900ENH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH2900ENH,L1Q electronic components. TPH2900ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH2900ENH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH2900ENH,L1Q Atributos do produto

Número de peza : TPH2900ENH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
Serie : U-MOSVIII-H
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 33A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2200pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 78W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche : 8-PowerVDFN