FDB045AN08A0-F085 Prezos (USD) [31266unidades de stock]
- 1 pcs$1.31811
- Número de peza:
- FDB045AN08A0-F085
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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FDB045AN08A0-F085 Atributos do produto
Número de peza :
FDB045AN08A0-F085
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
19A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
138nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6600pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
310W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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