Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8GTHE3/81

KEY Part #: K6447138

[1526unidades de stock]


    Número de peza:
    NSB8GTHE3/81
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Finalidade especial ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NSB8GTHE3/81 Atributos do produto

    Número de peza : NSB8GTHE3/81
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    Serie : -
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 400V
    Actual - Media rectificada (Io) : 8A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 8A
    Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : -
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 400V
    Capacitancia @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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