STMicroelectronics - STW33N60DM2

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STW33N60DM2 Prezos (USD) [16971unidades de stock]

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Número de peza:
STW33N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 24A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos: rectificadores de ponte ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW33N60DM2 Atributos do produto

Número de peza : STW33N60DM2
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 600V 24A
Serie : MDmesh™ DM2
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1870pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 190W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247
Paquete / Estuche : TO-247-3

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