Número de peza :
SIS407DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
93.8nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2760pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8