Número de peza :
IRL40T209ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
300A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.72 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
269nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
16000pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-HSOF-8-1
Paquete / Estuche :
8-PowerSFN