GeneSiC Semiconductor - MURTA600120R

KEY Part #: K6468990

MURTA600120R Prezos (USD) [671unidades de stock]

  • 1 pcs$69.19588
  • 18 pcs$38.91334

Número de peza:
MURTA600120R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Módulos de controlador de enerxía and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA600120R Atributos do produto

Número de peza : MURTA600120R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Serie : -
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 300A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 2.6V @ 300A
Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 25µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Three Tower
Paquete de dispositivos de provedores : Three Tower
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