Toshiba Semiconductor and Storage - HN1D02FU(T5L,F,T)

KEY Part #: K6474712

[6347unidades de stock]


    Número de peza:
    HN1D02FU(T5L,F,T)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - JFETs and Tiristores: TRIAC ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU(T5L,F,T) electronic components. HN1D02FU(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1D02FU(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN1D02FU(T5L,F,T) Atributos do produto

    Número de peza : HN1D02FU(T5L,F,T)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
    Serie : -
    Estado da parte : Active
    Configuración do diodo : 2 Pair Common Cathode
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 80V
    Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 100mA
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.2V @ 100mA
    Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 4ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 500nA @ 80V
    Temperatura de funcionamento: unión : 125°C (Max)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666
    Paquete de dispositivos de provedores : US6

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