IXFH18N100Q3 Prezos (USD) [7800unidades de stock]
- 1 pcs$6.10597
- 90 pcs$6.07559
- Número de peza:
- IXFH18N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFH18N100Q3 Atributos do produto
Número de peza :
IXFH18N100Q3
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4890pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
830W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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