TPH3205WSBQA Prezos (USD) [4321unidades de stock]
- 1 pcs$11.73076
- 10 pcs$10.85188
- 100 pcs$9.26804
- Número de peza:
- TPH3205WSBQA
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrición detallada:
- GANFET N-CH 650V 35A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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TPH3205WSBQA Atributos do produto
Número de peza :
TPH3205WSBQA
Fabricante :
Transphorm
Descrición :
GANFET N-CH 650V 35A TO247
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 22A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 700µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (máximo) :
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2200pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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