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- Número de peza:
- MTY100N10E
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 100A TO-264.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor MTY100N10E electronic components. MTY100N10E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MTY100N10E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MTY100N10E Atributos do produto
Número de peza :
MTY100N10E
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
378nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
10640pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-264
Paquete / Estuche :
TO-264-3, TO-264AA
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