Número de peza :
DMN1019USN-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
50.6nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2426pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
680mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-59
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3