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- Número de peza:
- NTMKE4891NT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTMKE4891NT1G electronic components. NTMKE4891NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMKE4891NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMKE4891NT1G Atributos do produto
Número de peza :
NTMKE4891NT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
26.7A (Ta), 151A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
66nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4360pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Paquete / Estuche :
5-ICEPAK
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