GeneSiC Semiconductor - GC10MPS12-252

KEY Part #: K6433571

GC10MPS12-252 Prezos (USD) [15875unidades de stock]

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Número de peza:
GC10MPS12-252
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 10A TO-252-2
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GC10MPS12-252 Atributos do produto

Número de peza : GC10MPS12-252
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) : 50A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.8V @ 10A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F : 660pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252-2
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C
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