IXFT60N50P3 Prezos (USD) [11335unidades de stock]
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- 10 pcs$3.76314
- 100 pcs$3.09407
- 500 pcs$2.59231
- Número de peza:
- IXFT60N50P3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 500V 60A TO268.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFT60N50P3 Atributos do produto
Número de peza :
IXFT60N50P3
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
Serie :
HiPerFET™, Polar3™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
96nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6250pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1040W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-268
Paquete / Estuche :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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