VS-150MT060WDF Prezos (USD) [1145unidades de stock]
- 1 pcs$37.95324
- 105 pcs$37.76442
- Número de peza:
- VS-150MT060WDF
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
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VS-150MT060WDF Atributos do produto
Número de peza :
VS-150MT060WDF
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Dual Buck Chopper
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
138A
Potencia: máx :
543W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.48V @ 15V, 80A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
100µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
14nF @ 30V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
12-MTP Module
Paquete de dispositivos de provedores :
12-MTP Pressfit
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- PSDC312E8427618NOSA1
- FF600R12IS4FBOSA1
- IRG5U75HH12E
- FS800R07A2E3B32BOSA1
- QID1215003
- FS600R07A2E3B32BOSA1
- VS-GT100DA120U
- VS-GB75LP120N
- VS-GA200HS60S1PBF
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- F450R12KS4B11BOSA1
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