Infineon Technologies - FP15R12W1T4B11BOMA1

KEY Part #: K6534682

FP15R12W1T4B11BOMA1 Prezos (USD) [2707unidades de stock]

  • 1 pcs$15.99524

Número de peza:
FP15R12W1T4B11BOMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT MODULE VCES 600V 22A.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies FP15R12W1T4B11BOMA1 electronic components. FP15R12W1T4B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP15R12W1T4B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP15R12W1T4B11BOMA1 Atributos do produto

Número de peza : FP15R12W1T4B11BOMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT MODULE VCES 600V 22A
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Configuración : Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 28A
Potencia: máx : 130W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 15A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 890pF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Module
Paquete de dispositivos de provedores : Module

Tamén pode estar interesado
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.