IPAN60R800CEXKSA1 Prezos (USD) [85018unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPAN60R800CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET NCH 600V 8.4A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
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IPAN60R800CEXKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPAN60R800CEXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
373pF @ 100V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
27W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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