STP400N4F6 Prezos (USD) [12020unidades de stock]
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- 10 pcs$2.88438
- 100 pcs$2.36519
- 500 pcs$1.91523
- 1,000 pcs$1.61525
- Número de peza:
- STP400N4F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V TO-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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STP400N4F6 Atributos do produto
Número de peza :
STP400N4F6
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 40V TO-220
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
377nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
20000pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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