DMN63D1L-13 Prezos (USD) [2377865unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN63D1L-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable, Tiristores: TRIAC, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN63D1L-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMN63D1L-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
380mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.3nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
30pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
370mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3