Diodes Incorporated - DMG4466SSSL-13

KEY Part #: K6394116

DMG4466SSSL-13 Prezos (USD) [392747unidades de stock]

  • 1 pcs$0.09418
  • 2,500 pcs$0.04487

Número de peza:
DMG4466SSSL-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Diodes Incorporated DMG4466SSSL-13 electronic components. DMG4466SSSL-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4466SSSL-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG4466SSSL-13 Atributos do produto

Número de peza : DMG4466SSSL-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 478.9pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.42W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tamén pode estar interesado