BAV103-GS18 Prezos (USD) [3225988unidades de stock]
- 1 pcs$0.01147
- 10,000 pcs$0.01080
- 30,000 pcs$0.00972
- 50,000 pcs$0.00864
- 100,000 pcs$0.00810
- 250,000 pcs$0.00720
- Número de peza:
- BAV103-GS18
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 250V 500mW
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV103-GS18 electronic components. BAV103-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV103-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV103-GS18 Atributos do produto
Número de peza :
BAV103-GS18
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
250mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 100mA
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100nA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Paquete de dispositivos de provedores :
SOD-80 MiniMELF
Temperatura de funcionamento: unión :
175°C (Max)
Últimas novas
Tamén pode estar interesado
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Pezas quentes
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T