Número de peza :
BAS116T,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
75V
Actual - Media rectificada (Io) :
215mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.25V @ 150mA
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
3µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SC-75, SOT-416
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-75
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)