RS1BLHM2G Prezos (USD) [2000457unidades de stock]
- 1 pcs$0.01849
- Número de peza:
- RS1BLHM2G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
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RS1BLHM2G Atributos do produto
Número de peza :
RS1BLHM2G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
800mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.3V @ 800mA
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
150ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-219AB
Paquete de dispositivos de provedores :
Sub SMA
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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