Vishay Semiconductor Diodes Division - VB30120SG-E3/4W

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Número de peza:
VB30120SG-E3/4W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VB30120SG-E3/4W Atributos do produto

Número de peza : VB30120SG-E3/4W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB
Serie : TMBS®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 120V
Actual - Media rectificada (Io) : 30A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.28V @ 30A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 500µA @ 120V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 150°C

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