Infineon Technologies - IGOT60R070D1AUMA1

KEY Part #: K6395284

IGOT60R070D1AUMA1 Prezos (USD) [5242unidades de stock]

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Número de peza:
IGOT60R070D1AUMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IC GAN FET 600V 60A 20DSO.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGOT60R070D1AUMA1 Atributos do produto

Número de peza : IGOT60R070D1AUMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IC GAN FET 600V 60A 20DSO
Serie : CoolGaN™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 31A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 2.6mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
Vgs (máximo) : -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 380pF @ 400V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 125W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PG-DSO-20-87
Paquete / Estuche : 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)