Número de peza :
1N6076US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 50V 6A D5B
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
50V
Actual - Media rectificada (Io) :
6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.76V @ 18.8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
30ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 50V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, E
Paquete de dispositivos de provedores :
D-5B
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 155°C