Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 30A DO4
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
30A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
975mV @ 30A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
15µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
140pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Chassis, Stud Mount
Paquete / Estuche :
DO-203AA, DO-4, Stud
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-4
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C