Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM11-600-E3/97

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Número de peza:
BYM11-600-E3/97
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 1.0A 250ns Glass Passivated
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM11-600-E3/97 Atributos do produto

Número de peza : BYM11-600-E3/97
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 1A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 250ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores : DO-213AB
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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