ON Semiconductor - RHRD660S9A

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Número de peza:
RHRD660S9A
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RHRD660S9A Atributos do produto

Número de peza : RHRD660S9A
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 2.1V @ 6A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252AA
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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