Infineon Technologies - AUIRFB8405

KEY Part #: K6399743

AUIRFB8405 Prezos (USD) [31069unidades de stock]

  • 1 pcs$1.32651
  • 1,000 pcs$0.54083

Número de peza:
AUIRFB8405
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFB8405 electronic components. AUIRFB8405 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFB8405, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFB8405 Atributos do produto

Número de peza : AUIRFB8405
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 161nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5193pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 163W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AB
Paquete / Estuche : TO-220-3

Tamén pode estar interesado