Número de peza :
RP1E125XNTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1000pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
MPT6
Paquete / Estuche :
6-SMD, Flat Leads